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SAMSUNG 990 EVO Plus PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 4To - MZ-V9S4T0BW

photo 990 EVO Plus PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 4To

Disponible

entre 5 et 10 articles
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SAMSUNG

Stockage interne SAMSUNG

990 EVO Plus PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 4To

Type : M.2 - SSD
Capacité : 4 To
Interface : PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Format : M.2
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Pour connaître les points de collecte près de chez vous : https://www.ecologic-france.com/citoyens/ou-deposer-mes-dechets.html
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Le Samsung 990 EVO Plus est un puissant disque dur interne conçu pour améliorer les performances de stockage avec une capacité de 2 To. Doté de la technologie V-NAND TLC de Samsung, ce disque garantit un transfert de données à grande vitesse avec un débit interne de 7250 MBps et une vitesse d'écriture de 6300 MBps, ce qui permet un fonctionnement transparent pour les applications exigeantes et la gestion de fichiers volumineux. Prenant en charge les interfaces PCI Express 4.0 et 5.0, il répond à diverses exigences système tout en offrant vitesse et fiabilité.

Conçu avec des fonctionnalités avancées telles que la technologie Intelligent TurboWrite et l'algorithme Auto Garbage Collection, le Samsung 990 EVO Plus conserve son efficacité et sa durabilité même en cas de charge de travail élevée. Sa capacité de résistance aux chocs et aux vibrations jusqu'à 1500 g et sa plage de température de -40°C à 85°C le rendent adapté aux environnements grand public et professionnels. Ce disque SSD garantit un accès rapide aux données et offre un cryptage matériel pour une sécurité accrue, ce qui en fait un choix idéal pour les utilisateurs souhaitant améliorer les performances de leur système.

Autres avantages du produit 990 EVO Plus PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 4To

990 EVO Plus PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 4To Description :

Stockage interne SAMSUNG 990 EVO Plus PCIe 5.0 x2 (NVMe) - 4To

Type : M.2 - SSD
Capacité : 4 To
Interface : PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Format : M.2

Samsung 990 EVO Plus MZ-V9S2T0 - SSD - 4 To - PCIe 5.0 x2 (NVMe)
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Informations Générales
Référence LBDN SAM08136
Référence Fabricant MZ-V9S4T0BW
Garantie 5 ans
Frais de port Famille I Voir détail
Informations générales
Facteur de forme M.2
Capacité 4000 Go
Type d'interface PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Débit max de transfert 7150 Mo/s (lecture) / 6300 Mo/s (écriture)
Extension/Connectivité
Interfaces 1 x PCIe 5.0 x2 (NVMe)
Baies compatibles M.2 2280
Caractéristiques
Divers Intelligent TurboWrite Technology, Samsung V-NAND TLC Technology, Support de mise en veille de l'appareil, Host Memory Buffer (HMB), prise en charge TRIM, Auto Garbage Collection Algorithm, S.M.A.R.T., IEEE 1667
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