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SAMSUNG 850 EVO Basic 2 To - MZ-75E2T0B/EU

photo 850 EVO Basic 2 To
SAMSUNG

Disque Dur SAMSUNG

850 EVO Basic 2 To

Type : SSD
Capacité : 2 To
Mémoire tampon : 1024 Mo
Interface : Serial ATA-600
Format : 2,5
> Descriptif technique
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850 EVO Basic 2 To
SSD 850 Evo 2 To

CARACTÉRISTIQUES
Qu'est ce que la V-NAND 3D et quelles sont ses dfférences avec les technologies existantes
Optimisez votre expérience informatique au quotidien à l'aide de la technologie TurboWrite qui offre des vitesses de lecture / écriture sans prédédent
Endurance et fiabilité garanties renforcées par la technologie V-NAND 3D
Utilisez votre ordinateur plus longtemps frâce à une faible consommation d'énergie renforcée par la V-NAND 3D

Qu'est ce que la V-NAND 3D et quelles sont ses dfférences avec les technologies existantes
L'architecture unique et innovante de la mémoire flash V-NAND 3D de Samsung est une avancée technologique permettant de dépasser les limites de densité, les performances et l'endurance de l'architecture NAND plane traditionnelle. Fabriquée en empilant 32 couches de cellules verticalement au lieu de réduire la taille des cellules et de s'inscrire dans un espace horizontal fixe, la V-NAND 3D permet d'augmenter la densité ainsi que les performances tout en limitant son empreinte.

Optimisez votre expérience informatique au quotidien à l'aide de la technologie TurboWrite qui offre des vitesses de lecture / écriture sans prédédent
Grâce à la technologie TurboWrite de Samsung, vous obtenez des performances optimales en matière de lecture et d'écriture et par conséquent, vous maximisez votre utilisation informatique au quotidien. En plus d'une expérience utilisateur 10% supérieure à celle du 840 EVO*, vous obtenez également des vitesses d'écriture aléatoires pour les modèles 120 / 259 Go**. Le 850 EVO offre les meilleures performances en ce qui concerne les vitesses de lecture (540 Mo/s) et d'écriture (520 Mo/s) séquentielles. De plus, vous obtenez des performances aléatoires optimisées pour toutes les profondeurs de file d'attente en cas d'utilisation d'un PC client. *PCMark7 (250 Go) : 6700 (840 EVO) > 7600 (850 EVO) **Ecriture aléatoire (profondeur de file d'attente : 32, 120 Go) : 36 000 IOPS (840 EVO) > 88 000 IOPS (850 EVO)

Passez à la vitesse supérieure avec le RAPID mode amélioré
Accélérez vos performances à tout moment avec le logiciel Samsung Magician qui offre le RAPID mode pour un traitement des données 2 fois plus rapides* au niveau du système. Pour ce faire, celui-ci utilise la mémoire libre du PC (DRAM) comme stockage du cache. Tandis que l'utilisation de la mémoire maximale en RAPID mode était de 1 Go dans la version précédente du 840 EVO grâce à l'application d'une mémoire dRAM de 16 Go. Vous doublez également vos performances* dans toutes les profondeurs de file d'attente aléatoires. *PCMark7 RAW (250 Go) : 7500 > 15 000 (RAPID mode)

Endurance et fiabilité garanties renforcées par la technologie V-NAND 3D
Avec 2 fois plus de TBW* comparé à la génération précédente du 840 EVO**, le 850 EVO offre une endurance et une fiabilité renforcées par une garantie de 5 ans, la plus élevée dans ce secteur. Le 850 EVO augmente ses performances continues jusqu'à 30% de plus que celles du 840 EVO grâce à une dégradation des performances réduite au minimum. Cela en fait l'un des appareils de stockage les plus fiables***. *TBW : Total Bytes Written **TBW : 43 (840 EVO) > 75 (850 EVO 120 Go / 250 Go), 150 (850 EVO 500 Go / 1 To) ***Performances soutenues (250 Go) : 3300 IOPS (840 EVO) > 6500 IOPS (850 EVO), performances mesurées après un test d'"Ecriture aléatoires" de 12 heures.

Utilisez votre ordinateur plus longtemps frâce à une faible consommation d'énergie renforcée par la V-NAND 3D
Le 850 EVO augmente considérablement la durée de vie de la batterie de votre ordinateur portable grâce à un contrôleur optimisé pour la V-NAND 3D. Ce contrôleur active dès à présent la fonction Device Sleep pour une très faible consommation de 2 mW. Grâce au fait que la V-NAND 3D consomme 2 fois moins d'énergie que la Planar NAND 2D, le 850 EVO consomme désormais 25% d'énergie en moins que le 840 EVO durant les opérations d'écriture*. *Puissance (250 Go) : 3.2 watts (840 EVO) > 2.4 watts (850 EVO)

Protégez vos données avec le cryptage AES 256
Le 850 EVO est renforcé avec le dernier moteur de chiffrement matériel intégral du disque. La technologie de chiffrement AES 256 bits protège vos données sans dégrader les performances.

Protection Dynamic Thermal Guard
La protection Dynamic Thermal Guard surveille et maintient une température idéale du disque pour qu'il fonctionne dans des conditions optimales. Si la température dépasse un seuil optimal, la protection Thermal Guard fait chuter automatiquement les températures.

Passez au niveau supérieur avec le 850 EVO sans aucune difficulté
Le logiciel One-stop Install Navigator de Samsung vous permet de migrer facilement toutes vos données et applications depuis votre dispositif de stockage principal actuel vers votre 850 EVO en seulement trois étapes. Le logiciel Samsung Magician vous permet également d'optimiser et gérer votre système pour qu'il soit le mieux adapté à votre SSD.

Solution d'intégration haut de gamme
Samsung est la seule marque de SSD qui conçoit et fabrique en interne tous les composants de ses SSD, ce qui permet une intégration optimisée. Le résultat : des performances accrues, une plus faible consommation énergétique et un meilleur rendement énergétique grâce au contrôleur MEX ou MGX.

Autres avantages du produit 850 EVO Basic 2 To

850 EVO Basic 2 To Description :

Disque Dur SAMSUNG 850 EVO Basic 2 To

Type : SSD
Capacité : 2 To
Mémoire tampon : 1024 Mo
Interface : Serial ATA-600
Format : 2,5

Samsung - Disque SSD - 2 To - 2,5" - SATA-600 - 540 Mo/s (lecture) / 520 Mo/s (écriture) - Garantie 5 ans
Informations Générales
Référence LBDN SAM04578
Référence Fabricant MZ-75E2T0B/EU
Garantie 5 ans
Frais de port Famille II Voir détail
Informations générales
Facteur de forme 2,5
Capacité 2000 Go
Type d'interface Serial ATA-600
Débit max de transfert 600 Mo/s
Extension/Connectivité
Interfaces 1 x Serial ATA-600
Baies compatibles 1 x interne - 2.5"
Caractéristiques
Divers Self Encrypting Drive (SED), chiffrement intégral du disque (FDE), prise en charge TRIM, technologie Garbage Collection, cache DRAM, mode DevSleep, TCG Opal Encryption 2.0, 3D V-NAND Technology, Dynamic Thermal Guard protection, Worldwide Name (WWN), prise en charge du mode RAPIDE, TurboWrite Technology, Low Power DDR2 SDRAM Cache, Samsung MGX Controller , S.M.A.R.T., AES 256 bits, IEEE 1667
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